|
晶体管极限参数测试仪BJ2988A |
78000 |
北京无线电仪器厂 |
详细信息 |
收藏 |
| 简介：晶体管极限参数测试仪BJ2988A |
|
半导体分立器件测试仪BJ2939 |
电询 |
北京无线电仪器厂 |
详细信息 |
收藏 |
| 简介：半导体分立器件测试仪BJ2939 |
|
晶体管反偏二次击穿测试仪BJ2987 |
78000 |
北京无线电仪器厂 |
详细信息 |
收藏 |
| 简介：晶体管反偏二次击穿测试仪BJ2987 |
|
晶闸管综合参数测试仪BJ2948A |
58000 |
北京无线电仪器厂 |
详细信息 |
收藏 |
| 简介：晶闸管参数测试系统是用于测量晶闸管的通态、断态、控制极常用静态参数的综合性参数测量仪器。此系统可以快速、准确、全面的对晶闸管进行参数测试和分析测试。我们研制的晶闸管参数测试系统采用主从式设计，仪器采用高性能微控制器控制，配备大液晶显示器，可以独立工作；也可以使用PC机控制操作，使用更加方便 |
|
稳压二极管测试仪BJ2912B |
9500 |
北京无线电仪器厂 |
详细信息 |
收藏 |
| 简介：本仪器可测量IN746~IN986系列，2CW，2DW，系列各类稳压二极管的正向压降Vf，稳定电压Vz，动态电阻Rz及反向电流Ib,
|
|
二极管瞬态热阻测试仪BJ2984A |
56000 |
北京无线电仪器厂 |
详细信息 |
收藏 |
| 简介：本仪器可对各种类型锗，硅晶体二极管的瞬态热阻参数进行快速测量。
对以环境温度Ta为参考点不带散热器作用的中、小功率晶体二极管可以直接测定其稳态热阻；
对以壳温Tc为参考点带散热器使用的大功率晶体二极管，当用户在自行给定的散热条件下测量出壳温度Tc数值后，也可确定其稳态热阻。
|
|
低频大功率fT测试仪BJ3022（QJ30） |
68000 |
北京无线电仪器厂 |
详细信息 |
收藏 |
| 简介：本仪器是测量NPN，PNP型大功率晶体管特征频率fT 专用设备，测量频率为0.3MHz、1MHz、3MHz、10MHz四个点频,测量范围为0.3MHz-100MHz并能在上述点频测量器件之高频正向共发射极电流增益︱hfe︱。本仪器由主机和三个测试盒组成，可测F1、F2、F3、F4、G3、G4六种管壳的低频大功率管，外接偏置高压电流源之偏置范围为0-50V，0-5A。
|
|
晶体三极管热阻抗测试系统BJ2989B |
68000 |
北京无线电仪器厂 |
详细信息 |
收藏 |
| 简介：可测试各种型号中、大功率晶体管瞬态及稳态热阻抗。在BJ2984的基础上添加了微机控制，系统软件基于微软视窗系统的操作环境，使您轻松掌握测试。 |
|
晶闸管综合参数仪 HB2931B |
22800 |
北京无线电仪器厂 |
详细信息 |
收藏 |
| 简介：HB2931B型晶闸管综合参数测试仪是用于测量晶闸管的通态，断态门极常用静态参数的综合性参数测量仪器。参数测量原理符合GB4024-83半导体器件反向阻断三极晶闸管的测试方法有关规定 |
|
高频小功率晶体管Ft测试仪 |
69000 |
北京无线电仪器厂 |
详细信息 |
收藏 |
| 简介：本系列是利用“带宽—增益乘积”原理测量高频小功率晶体三极管特征频率的全晶体管化专用设备。测量频率分别为：10MHz、30MHz、100MHz、200MHz、400MHz。仪器可监测各频率下的│B│。
|
|
VDMOS场效应管综合参数测试仪 BJ3000 |
68000 |
北京无线电仪器厂 |
详细信息 |
收藏 |
| 简介：VDMOSMOS场效应管测试仪.本仪器为测试场效应管综合参数的测试仪，可测Vgs（th）、Idss、Igss、BVdss、BVgss、Rd、、Gfs参数。本仪器是采用计算机控制的高智能化的测试仪器，具有测试速度快、操作灵活、使用方便特点，并能存储测试条件，存储、打印测试数据 |
|
反向漏电流测试仪 JS-2G |
11800 |
北京无线电仪器厂 |
详细信息 |
收藏 |
| 简介：测试二极管三极管及任何两端器件，分脉冲和直流两种方式，本仪器完全按照国际标准（ICE）和国家标准来设计，显示和测试方法是采用程控方式，测试电压为20V-1500V，测试电流范围100PA-199uA。 |
